标题 |
Reconfigurable Two-dimensional Floating Gate Field-effect Transistors for Highly Integrated In-memory Computing
用于高集成度内存计算的可重构二维浮栅场效应晶体管
相关领域
双闸门
场效应晶体管
计算机科学
并行计算
晶体管
领域(数学)
计算机体系结构
光电子学
材料科学
电子工程
电气工程
MOSFET
工程类
数学
电压
纯数学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Research Square (Research Square) 作者:Gwan Hyoung Lee; Cheol Seong Hwang; June‐Chul Shin; Taegyun Park; Dong Hoon Shin; et al 出版日期:2024-04-22 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|