标题 |
Multibit, Lead‐Free Cs2SnI6 Resistive Random Access Memory with Self‐Compliance for Improved Accuracy in Binary Neural Network Application
多位无铅Cs2SnI6电阻随机存取存储器,具有自适应功能,可提高二进制神经网络应用的精度
相关领域
电阻随机存取存储器
神经形态工程学
材料科学
二进制数
记忆电阻器
电阻式触摸屏
人工神经网络
计算机科学
光电子学
纳米技术
人工智能
电子工程
电气工程
工程类
电压
算术
数学
计算机视觉
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Advanced functional materials 作者:Ajit Kumar; Krishnaiah Mokurala; Jin-Woo Park; Dhananjay Mishra; Bidyashakti Dash; et al 出版日期:2023-12-28 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|