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 Vertical-Channel Fin-SiC (VC Fin-SiC) With Partially Highly Doped JFET for 3.3-kV Applications 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Tomoka Suematsu; Takeru Suto; Naoki Watanabe; Yuki Mori; Haruka Shimizu; et al 出版日期：2024-07-12 |
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