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Investigation of Short Channel Effects in SOI MOSFET with 20 nm Channel Length by a β-Ga2O3 Layer
用β-Ga2O3层研究20nm沟道长SOI MOSFET的短沟道效应
相关领域
绝缘体上的硅 材料科学 电场 MOSFET 光电子学 硅 短通道效应 绝缘体（电） 热的 频道（广播） 信道长度调制 电气工程 晶体管 电压 物理 量子力学 气象学 工程类
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ab878b
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.1149/2162-8777/ab878b doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Dariush Madadi; Ali A. Orouji
出版日期：2020-01-05
求助人
木木 在 2025-06-30 11:28:14 发布自福建，悬赏 10 积分
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