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Readout Current in HZO-Based Bilayer FTJs: Physical Mechanisms and Design Insight |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:M. Segatto; F. M. Puglisi; F. Driussi; D. Lizzit; L. Carpentieri; et al 出版日期:2026-05-01 |
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(2025-6-4)