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 High-Mobility MOCVD β-Ga2O3 Epitaxy with Fast Growth Rate Using Trimethylgallium 相关领域
三甲基镓
金属有机气相外延
三甲基铟
分析化学（期刊）
薄膜
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化学气相沉积
体积流量
外延
增长率
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化学
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镓
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光电子学
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物理
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期刊：Crystal Growth & Design 作者：Lingyu Meng; Zixuan Feng; A F M Anhar Uddin Bhuiyan; Hongping Zhao 出版日期：2022-05-05 |
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