| 标题 |
 Photodetectors formed by an indium tin oxide/zinc oxide/p-type gallium nitride heterojunction with high ultraviolet-to-visible rejection ratio 相关领域
响应度
暗电流
材料科学
光电流
异质结
光电子学
氧化铟锡
紫外线
光电探测器
铟
氮化镓
宽禁带半导体
光电二极管
溅射
溅射沉积
薄膜
图层（电子）
纳米技术
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：M. L. Lee; Ping-Feng Chi; Jinn‐Kong Sheu 出版日期：2009-01-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
Criminology34
浮游
GingerF
嘿嘿
专注酸奶
6666
Yini
firmalter
LPPQBB
冉冉升起
eric888
风清扬
卢靖康
Lan
Luna
aonangreat
Wang
传奇3
丘比特
DL
Alex
哆啦十七
zsyhcl
GPTea
皖公网安备34019202002308
