Improved Output Power of InGaN-Based Ultraviolet LEDs Using a Heavily Si-Doped GaN Insertion Layer Technique

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标题	Improved Output Power of InGaN-Based Ultraviolet LEDs Using a Heavily Si-Doped GaN Insertion Layer Technique
网址	https://doi.org/10.1109/jqe.2011.2170553
DOI	10.1109/jqe.2011.2170553 doi
其它	期刊：IEEE Journal of Quantum Electronics 作者：Ching-Hsueh Chiu; Chien-Chung Lin; Po-Min Tu; Shih-Cheng Huang; Chia-Cheng Tu; et al 出版日期：2012
求助人	29 在 2026-02-04 23:12:15 发布自天津，悬赏 10 积分
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