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![]() 用电子能带结构计算研究CsGeX3(X=Cl,Br)结构和带隙的压力诱导变化
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10.1021/ic970659e
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期刊:Journal of Materials Chemistry A 作者:Krishnamoorthy Thirumal; Hong Ding; Yan Chen; Wei Lin Leong; Tom Baikie; et al 出版日期:2015-01-01 |
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