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Characterization of AlXGa1−XN/GaN High Electron Mobility Transistor Structures with Mercury Probe Capacitance–Voltage and Current–Voltage
汞探针电容——电压和电流——电压AlxGa1-xN/GaN高电子迁移率晶体管结构的表征
相关领域
高电子迁移率晶体管
电容
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期刊:physica status solidi (a) applications and materials science 作者:Eric Tucker; F. Javier Ramos; Samuel Frey; Robert Hillard; Péter Horváth; et al 出版日期:2022-01-29 |
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