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标题
The Effect of Diluted N2O Annealing Time on Gate Dielectric Reliability of SiC Metal-Oxide Semiconductor Capacitors and Characterization of Performance on SiC Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
稀释N2O退火时间对SiC金属氧化物半导体电容器栅介质可靠性的影响及SiC金属氧化物半导体场效应晶体管性能表征
相关领域
材料科学 电容器 退火（玻璃） 光电子学 场效应晶体管 金属 半导体 电介质 氧化物 碳化硅 表征（材料科学） 可靠性（半导体） 晶体管 栅氧化层 栅极电介质 电气工程 纳米技术 复合材料 冶金 电压 工程类 功率（物理） 物理 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2079-9292/13/3/596/pdf?version=17067130...
DOI
10.3390/electronics13030596 doi
其它 期刊：Electronics
作者：Zhihua Dong; Leifeng Jiang; Manqi Su; Zeng Chen; Hui Liu; et al
出版日期：2024-01-31
求助人
董醉山 在 2024-03-01 14:21:23 发布自浙江，悬赏 10 积分
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