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Process to Form V-Grooved Trenches on Patterned Si (001) Substrates Using In Situ Selective Area Etching in a MOCVD Reactor
在MOCVD反应器中利用原位选择性区域刻蚀在图案化Si(001)衬底上形成V槽沟槽的工艺
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
沟槽
蚀刻(微加工)
基质(水族馆)
化学气相沉积
成核
各向同性腐蚀
光电子学
干法蚀刻
原位
沉积(地质)
纳米技术
图层(电子)
外延
化学
地质学
有机化学
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海洋学
生物
沉积物
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其它 |
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者:Young Dae Cho; In Geun Lee; Joo Hee Lee; Sun Wook Kim; Cheung Soo Shin; et al 出版日期:2016-01-01 |
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