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 25‐1: Invited Paper: Achieving high uniformity and yield of 200 mm GaN‐on‐Si LED epiwafers for micro LED applications with precise strain‐engineering 25-1：特邀论文：通过精确应变工程实现用于微型LED应用的200 mm GaN-on-Si LED外延片的高均匀性和产量
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期刊：Digest of technical papers 作者：Atsushi Nishikawa; Alexander Loesing; B. Slischka 出版日期：2019-05-29 |
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