Flowable oxide CVD Process for Shallow Trench Isolation in Silicon Semiconductor

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标题	Flowable oxide CVD Process for Shallow Trench Isolation in Silicon Semiconductor 用于硅半导体中浅沟槽隔离的可流动氧化物CVD工艺相关领域浅沟隔离德拉姆氧化物材料科学化学气相沉积动态随机存取存储器泄漏（经济）制作光电子学沟槽栅氧化层纳米技术电气工程冶金工程类半导体存储器晶体管宏观经济学病理经济电压替代医学图层（电子）医学
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Sung-Woong Chung; Sang-Tae Ahn; Hyunchul Sohn; Sang-Don Lee 出版日期：2004-03-01
求助人	累了就休息不是放弃在 2025-04-19 16:06:18 发布自江苏，悬赏 10 积分
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