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 An optoelectronic notch (‘dip’) phenomenon in the heterodyne photocarrier radiometry frequency response of Si wafers: a route to quantitative trap-state dynamic processes in semiconductors 硅晶片外差光载流子辐射频率响应中的光电陷波（“dip”）现象：半导体中定量陷阱态动态过程的途径
相关领域
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半导体
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化学
光学
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物理
声学
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yaqin Song; Andreas Mandelis; Alexander Melnikov; Qiming Sun 出版日期：2020-09-16 |
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