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 P-GaN Gate HEMTs: a Solution to Improve the High-Temperature Gate Lifetime P-GaN栅极HEMT：提高高温栅极寿命的解决方案
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Andrea Natale Tallarico; NULL AUTHOR_ID; Matteo Borga; NULL AUTHOR_ID; NULL AUTHOR_ID; et al 出版日期：2024-07-08 |
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