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  A Back-Illuminated SPAD Fabricated With 40 nm CMOS Image Sensor Technology Achieving Near 40% PDP at 940 nm 相关领域
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期刊：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 作者：Eunsung Park; Won-Yong Ha; Hyo-Sung Park; Doyoon Eom; Hyun-Seung Choi; et al 出版日期：2023-05-03 |
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