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 Density Functional Theory Study of P-Doped Co3O4(111) Facets for HCHO Adsorption: Implications for Metal Oxide Semiconductor Gas Sensors P掺杂Co3O4（111）面吸附HCHO的密度泛函理论研究：对金属氧化物半导体气敏元件的意义
相关领域
吸附
密度泛函理论
兴奋剂
材料科学
半导体
氧化物
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分子
甲酸
金属
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计算化学
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期刊：ACS applied nano materials 作者：Songlin Li; Min Zhang; Youqiang Dong; Jie Gao; Pengfei Cheng; et al 出版日期：2023-09-14 |
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