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标题
Passivation of hole traps in SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping
高密度镁掺杂对SiO2/GaN金属氧化物半导体器件空穴陷阱的钝化
相关领域
钝化 材料科学 掺杂剂 俘获 兴奋剂 镁 光电子学 氧化物 半导体 金属 电容器 纳米技术 图层（电子） 冶金 电气工程 电压 工程类 生物 生态学
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/acfc95
DOI
10.35848/1882-0786/acfc95 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Hidetoshi Mizobata; Mikito Nozaki; Takuma Kobayashi; Takayoshi Shimura; Heiji Watanabe
出版日期：2023-09-22
求助人
Doctor 在 2025-12-03 20:30:28 发布自海南，悬赏 10 积分
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