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 Solution-Processed Charge-Trap/Ferroelectric Hybrid Memory Transistor for Enhanced Data Storage and Neuromorphic Computing 用于增强数据存储和神经形态计算的溶液处理电荷陷阱/铁电混合存储晶体管
相关领域
神经形态工程学
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Hayoung Kim; Amos A Boampong; Yujeong Hwang; Sin-Hyung Lee; Min-Hoi Kim 出版日期：2025-12-12 |
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