Strain relaxation and dislocation annihilation in compositionally graded α-(AlxGa1-x)2O3 layer for high voltage α-Ga2O3 power devices

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标题	Strain relaxation and dislocation annihilation in compositionally graded α-(AlxGa1-x)2O3 layer for high voltage α-Ga2O3 power devices
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.actamat.2021.117423
DOI	10.1016/j.actamat.2021.117423 doi
其它	期刊：Acta Materialia 作者：Byungsoo Kim; Duyoung Yang; Woonbae Sohn; Seungmin Lee; Hwan-Hee-Chan Choi; et al 出版日期：2021-12-01
求助人	zht 在 2026-10-16 15:46:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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