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 Positive VTH Shift in Schottky p-GaN Gate Power HEMTs: Dependence on Temperature, Bias and Gate Leakage Schottky p-Gap栅功率ECT的VTH正漂移：对温度、偏置和栅泄漏的依赖性
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Nicola Modolo; Carlo De Santi; Sébastien Sicre; Andrea Minetto; Gaudenzio Meneghesso; et al 出版日期：2024-02-22 |
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白石桥的锁匠
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