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标题
Write error reduction in magnetic tunnel junctions for voltage-controlled magnetoresistive random access memory by using exchange coupled free layer
利用交换耦合自由层降低压控磁阻随机存取存储器磁性隧道结的写入误差
相关领域
磁电阻 随机存取存储器 磁阻随机存取存储器 图层（电子） 材料科学 凝聚态物理 隧道磁电阻 还原（数学） 电压 光电子学 电气工程 纳米技术 计算机科学 物理 磁场 工程类 数学 几何学 量子力学 计算机硬件
网址
https://doi.org/10.1063/5.0241713
DOI
10.1063/5.0241713 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Lui Sakai; Y. Higo; Masanori Hosomi; Rie Matsumoto; Takayuki Nozaki; et al
出版日期：2025-01-13
求助人
赫幼蓉 在 2025-08-18 11:25:17 发布自江苏，悬赏 10 积分
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