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 Write error reduction in magnetic tunnel junctions for voltage-controlled magnetoresistive random access memory by using exchange coupled free layer 利用交换耦合自由层降低压控磁阻随机存取存储器磁性隧道结的写入误差
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Lui Sakai; Y. Higo; Masanori Hosomi; Rie Matsumoto; Takayuki Nozaki; et al 出版日期：2025-01-13 |
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