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标题
Characterization of single event effect simulation in InP-based High Electron Mobility Transistors
InP基高电子迁移率晶体管中单粒子效应模拟的表征
相关领域
排水诱导屏障降低 晶体管 撞击电离 光电子学 材料科学 电场 瞬态（计算机编程） 电压 电离 电子 电子迁移率 阈值电压 电流（流体） 场效应晶体管 离子 电气工程 化学 物理 工程类 计算机科学 有机化学 量子力学 操作系统
网址
https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.105467
AI链接 doi.orgdoi.org
DOI
10.1016/j.rinp.2022.105467 doi
其它 期刊：Results in Physics
作者：Shuxiang Sun; Linshuang Liu; Haitao Wu; Ruxian Yao; Hongying Mei; et al
出版日期：2022-03-29
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涉沧浪 在 2025-08-27 15:54:40 发布，悬赏 10 积分
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