Ferroelectric Optoelectronic Memory Based on p-GaN/ZnGa2O4/BaTiO3/n-ITO Heterojunction with Integrated Sensing and Logic Operations

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标题	Ferroelectric Optoelectronic Memory Based on p-GaN/ZnGa2O4/BaTiO3/n-ITO Heterojunction with Integrated Sensing and Logic Operations 集成传感和逻辑运算的p-GaN/ZnGa2O4/BaTiO3/n-ITO异质结铁电光电存储器相关领域材料科学光电子学异质结铁电性电介质
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.4c19505
DOI	10.1021/acsami.4c19505 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Wushuang Han; Kewei Liu; Jialin Yang; Xiaoqian Huang; Yongxue Zhu; et al 出版日期：2025-02-05
求助人	老师心腹大患在 2025-09-20 09:09:20 发布自陕西，悬赏 10 积分
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