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标题
An SEU-hardened ternary SRAM design based on efficient ternary C-elements using CNTFET technology
相关领域
三元运算 静态随机存取存储器 碳纳米管场效应晶体管 晶体管 存储单元 电压 材料科学 阈值电压 电子工程 计算机科学 场效应晶体管 工程类 电气工程 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114881
DOI
10.1016/j.microrel.2022.114881 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Vahid Bakhtiary; Abdolah Amirany; Mohammad Hossein Moaiyeri; Kian Jafari
出版日期：2022-12-05
求助人
宁无剑 在 2026-01-09 20:07:39 发布自云南，悬赏 10 积分
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