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Hydrogen-Terminated Diamond Field-Effect Transistors With 1011 ON/ OFF Ratio Using an Al2O3/HfO2 Stacked Passivation Layer 使用Al2O3/HfO2堆叠钝化层的1011通/断比氢端接金刚石场效应晶体管
相关领域
钝化
钻石
晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Zhihao Chen; Xin-Xin Yu; Shuman Mao; Jianjun Zhou; Yuechan Kong; et al 出版日期:2023-12-12 |
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