Scaled Atomic-Layer-Deposited Indium Oxide Nanometer Transistors With Maximum Drain Current Exceeding 2 A/mm at Drain Voltage of 0.7 V

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标题	Scaled Atomic-Layer-Deposited Indium Oxide Nanometer Transistors With Maximum Drain Current Exceeding 2 A/mm at Drain Voltage of 0.7 V 在0.7 V漏极电压下最大漏极电流超过2A/mm的缩放原子层沉积氧化铟纳米晶体管相关领域氧化物铟材料科学晶体管氧化铟锡分析化学（期刊）光电子学图层（电子）物理纳米技术化学电压有机化学量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/led.2020.3043430
DOI	10.1109/led.2020.3043430 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Mengwei Si; Zehao Lin; Adam Charnas; Peide D. Ye 出版日期：2020-12-09
求助人	DemonZ 在 2025-08-05 09:26:38 发布，悬赏 10 积分
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