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标题
[高分] Enabling complimentary FET (CFET) fabrication: selective, isotropic etch of Group IV semiconductors (Conference Presentation)
实现互补FET(CFET)制造：IV族半导体的选择性各向同性蚀刻（会议演示）
相关领域
材料科学 制作 光电子学 半导体 蚀刻（微加工） 晶体管 场效应晶体管 各向同性腐蚀 介绍（产科） 有机半导体 群（周期表）
网址
https://doi.org/10.1117/12.2514741
DOI
10.1117/12.2514741 doi
其它 期刊：
作者：Subhadeep Kal; Yusuke Oniki; Matthew Falugh; Cheryl Pereira; Qi Wang; et al
出版日期：2019-03-18
求助人
芽鳞 在 2025-07-31 11:15:51 发布自北京，悬赏 50 积分
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