Comprehensive Study of Improved Negative-Bias-Illumination-Temperature Stress Stability in Terbium-Doped Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors

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标题	Comprehensive Study of Improved Negative-Bias-Illumination-Temperature Stress Stability in Terbium-Doped Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors 改善掺Tb铟锌氧化物薄膜晶体管负偏压-光照-温度应力稳定性的综合研究相关领域兴奋剂薄膜晶体管锌材料科学物理分析化学（期刊）光电子学纳米技术化学有机化学冶金图层（电子）
网址	http://dx.doi.org/10.1109/TED.2023.3273511
DOI	10.1109/TED.2023.3273511 doi
求助人	cyy 在 2024-04-29 13:12:54 发布自广东，悬赏 10 积分
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