| 标题 |
 Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory by Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier 利用带隙工程高k隧穿势垒提高金属浮栅存储器的性能
相关领域
量子隧道
材料科学
金属浇口
光电子学
闪存
数据保留
高-κ电介质
泄漏（经济）
非易失性存储器
电介质
纳米技术
电气工程
晶体管
计算机科学
栅氧化层
工程类
嵌入式系统
经济
宏观经济学
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Meeting abstracts/Meeting abstracts (Electrochemical Society. CD-ROM) 作者：Dandan Jiang; Lei Jin; Zhiliang Xia; Guoxing Chen; Xingqi Zou; et al 出版日期：2016-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
鸣笛
柯一一
jenningseastera
司空豁
eric888
昏睡的蟠桃
研友_Y59785
聪慧的凡灵
火星上的菲鹰
coolkid
pluto
辛苦了华子
iNk
SYLH
ED
shinysparrow
酷炫的咖啡豆
yznfly
伶俐妙海
herococa
皖公网安备34019202002308
