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 Alleviation of Schottky barrier heights at TMDs/metal interfaces with a tunneling layer of semiconducting InSe nanoflake 半导体InSe纳米片隧穿层降低TMDs/金属界面肖特基势垒高度
相关领域
肖特基势垒
异质结
量子隧道
材料科学
费米能级
光电子学
半导体
密度泛函理论
肖特基二极管
过渡金属
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电子能带结构
纳米技术
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量子力学
生物化学
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期刊：Applied Surface Science 作者：Bo Xu; Sha Yang; Yang Li; Hui Li; Zhao‐Yuan Sun; et al 出版日期：2023-06-23 |
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