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59.9 mV·dec Subthreshold Swing Achieved in Zinc Tin Oxide TFTs With In Situ Atomic Layer Deposited AlO Gate Insulator
原位原子层沉积AlO栅绝缘体锌锡氧化物薄膜晶体管实现59.9 mV·dec亚阈值摆幅
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Tonglin L. Newsom; Christopher Allemang; Tae H. Cho; Neil P. Dasgupta; Robert A. Peterson 出版日期:2023-01-01 |
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