| 标题 |
Epitaxial growth of high-quality Ge layers on Si with Ge2H6 under UHV-CVD conditions |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Changjiang Xie; Yue Li; Chi Xu; Yixin Wang; Hui Cong; Chunlai Xue 出版日期:2023-12-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)