GaSb layers with low defect density deposited on (001) GaAs substrate in two-dimensional growth mode using molecular beam epitaxy

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标题	GaSb layers with low defect density deposited on (001) GaAs substrate in two-dimensional growth mode using molecular beam epitaxy
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2019.02.012
DOI	10.1016/j.cap.2019.02.012 doi
其它	期刊：Current Applied Physics 作者：Agata Jasik; Iwona Sankowska; Andrzej Wawro; Jacek Ratajczak; Dariusz Smoczyński; et al 出版日期：2019-04-01
求助人	naiz 在 2026-08-04 19:31:24 发布自浙江，悬赏 40 积分
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