Beol-Compatible Multi-Layer ITO-ZnO-ITO Channel FETs Achieving Enhanced Mobility, Positive $V_{\text{TH}}$ Shift, and Improved PBTI

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标题	Beol-Compatible Multi-Layer ITO-ZnO-ITO Channel FETs Achieving Enhanced Mobility, Positive $V_{\text{TH}}$ Shift, and Improved PBTI
网址	http://dx.doi.org/10.1109/edtm61175.2025.11040667
DOI	10.1109/edtm61175.2025.11040667 doi
其它	期刊：2025 9th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 作者：Ying Xu; Yiyuan Sun; Zijie Zheng; Xiao Gong 出版日期：2025-03-09
求助人	今日失踪在 2026-10-24 17:28:35 发布自福建，悬赏 10 积分
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