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Selective area growth of high quality GaN nanocolumns on Si(0 0 1) by plasma assisted molecular beam epitaxy 等离子体辅助分子束外延在Si(0 0 1)上选择性区域生长高质量GaN纳米柱
相关领域
分子束外延
材料科学
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:A. Bengoechea‐Encabo; Steven M. Albert; Michael Niehle; A. Trampert; E. Calleja 出版日期:2023-07-20 |
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