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Record-high saturation current in end-bond contacted monolayer MoS2 transistors 端接接触单层MoS2晶体管中创纪录的高饱和电流
相关领域
单层
接触电阻
材料科学
晶体管
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期刊:Nano Research 作者:Jiankun Xiao; Zhuo Kang; Baishan Liu; Xiankun Zhang; Junli Du; et al 出版日期:2021-06-14 |
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