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Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
用扫描内光电发射显微镜表征n-GaN肖特基接触的外围
相关领域
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac8d6f
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/ac8d6f doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Hiroki Imabayashi; Yuto Yasui; Fumimasa Horikiri; Yoshinobu Narita; Noboru Fukuhara; et al
出版日期：2022-08-29
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