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Enhancing performance of GaN-based LDs by using GaN/InGaN asymmetric lower waveguide layers 利用GaN/InGaN非对称下波导层提高GaN基LDs的性能
相关领域
材料科学
铟
光电子学
波导管
量子阱
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波长
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图层(电子)
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光学
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物理
复合材料
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期刊:Chinese Physics B 作者:Wenjie Wang; Mingle Liao; Jun Yuan; Siyuan Luo; Feng Huang 出版日期:2022-03-02 |
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