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标题
High-Precision Small-Signal Model for Double-Channel–High-Electron-Mobility Transistors Based on the Double-Channel Coupling Effect
基于双沟道耦合效应的双沟道高电子迁移率晶体管高精度小信号模型
相关领域
频道（广播） 联轴节（管道） 晶体管 信号（编程语言） 光电子学 电子工程 材料科学 计算机科学 电气工程 工程类 电压 冶金 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.3390/mi16020200
AI链接 doi.org nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi16020200 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Ziyue Zhao; Qian Yu; Yang Lu; Chupeng Yi; Xin Liu; et al
出版日期：2025-02-10
求助人
白梅 在 2025-12-06 16:18:25 发布自云南，悬赏 10 积分
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