| 标题 |
Direct Evidence of GeO Volatilization from GeO2/Ge and Impact of Its Suppression on GeO2/Ge Metal–Insulator–Semiconductor Characteristics GeO2/Ge挥发GeO的直接证据及其抑制对GeO2/Ge金属-绝缘体-半导体特性的影响
相关领域
电容器
挥发
材料科学
退火(玻璃)
电介质
解吸
半导体
绝缘体(电)
锗
形成气体
分析化学(期刊)
光电子学
电容
热脱附
图层(电子)
金属
电极
冶金
电压
硅
电气工程
纳米技术
化学
吸附
物理化学
有机化学
工程类
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Koji Kita; Sho Suzuki; Hideyuki Nomura; Toshitake Takahashi; Tomonori Nishimura; et al 出版日期:2008-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|