标题 |
![]() 使用无掺杂电荷等离子体TFET的6-T和7-T SRAM单元设计
相关领域
静态随机存取存储器
材料科学
泄漏(经济)
光电子学
CMOS芯片
兴奋剂
离子
等离子体
电气工程
物理
工程类
量子力学
经济
宏观经济学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Silicon 作者:Harsimran Jit Kaur; R. K. Sarin; Sunny Anand; S. Intekhab Amin 出版日期:2020-09-23 |
求助人 |
刻苦的易形
在
2025-08-25 22:45:31 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|