Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories

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标题	Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories
网址	https://doi.org/10.1038/nmat5028
DOI	10.1038/nmat5028 doi
其它	期刊：Nature Materials 作者：Jun Jiang; Zi Long Bai; Zhi Hui Chen; Long He; David Wei Zhang; et al 出版日期：2017
求助人	woy031222 在 2026-04-18 21:26:29 发布自上海，悬赏 10 积分
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