Ferroelectric-Polarization-Modulated 2D Floating-Gate Memory Enabling a 106 On/Off Ratio under ±1 V Gate-Voltage Sweep

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标题	Ferroelectric-Polarization-Modulated 2D Floating-Gate Memory Enabling a 106 On/Off Ratio under ±1 V Gate-Voltage Sweep
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6c00900
DOI	10.1021/acs.nanolett.6c00900 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Tianze Yu; Ce Li; Weili Zhen; Dongliang Yang; Zirui Zhang; et al 出版日期：2026
求助人	mlx 在 2026-06-15 15:11:55 发布自广东，悬赏 10 积分
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