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 Quality improvement of SiC single crystal by modification of hot zone design adoption with denser graphite insulation in PVT growth PVT生长中改进热区设计采用致密石墨绝缘提高SiC单晶质量
相关领域
材料科学
石墨
Crystal（编程语言）
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复合材料
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光电子学
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计算机科学
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物理
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Seung Jun Lee; Su Ho Kim; Chae Young Lee; Jong Hwi Park; Jung Woo Choi; et al 出版日期：2024-12-26 |
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