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Reassessment of the intrinsic carrier density in crystalline silicon in view of band-gap narrowing 从带隙变窄角度重新评价晶体硅中的本征载流子密度
相关领域
凝聚态物理
硅
带隙
掺杂剂
材料科学
载流子密度
态密度
电容
兴奋剂
物理
光电子学
量子力学
电极
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Pietro P. Altermatt; Andreas Schenk; Frank Geelhaar; Gernot Heiser 出版日期:2003-02-01 |
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