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Generation of deep levels near the 4H-SiC surface by thermal oxidation
热氧化在4H-SiC表面附近产生深能级
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网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad3f6c
AI链接 iop.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.35848/1882-0786/ad3f6c doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto
出版日期：2024-04-01
求助人
zhx 在 2025-12-06 07:33:50 发布自浙江，悬赏 10 积分
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