Tunneling quantum correction potential model for drift-diffusion simulations of Schottky contact resistance

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标题	Tunneling quantum correction potential model for drift-diffusion simulations of Schottky contact resistance
网址	https://doi.org/10.1109/SISPAD62626.2024.10733338
DOI	10.1109/SISPAD62626.2024.10733338 doi
其它	期刊：2024 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 作者：A. -T. Pham; M. A. Pourghaderi; S. Jin; S. Song; Y. Park; et al 出版日期：2024
求助人	昵称未命名在 2026-05-19 13:19:43 发布自江苏，悬赏 10 积分
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