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![]() 平衡截断(BT)模型降阶法设计绝缘体上硅基SiGe VTFET在IIR滤波器中的应用
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期刊:Silicon 作者:Bujjibabu Penumutchi; M. Kamaraju; Babulu Kaparapu 出版日期:2022-09-20 |
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